Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 80 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 120 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 8 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 125 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 10
Корпус: TO218
Наши товары
Наши новости
2SC4467 TO3P
Цена259.00 руб.
Параметры для платежной системы для формирования чеков:
Ставка НДС:Предмет расчета:
Способ расчета:
Количество: 1Цена 259.00 руб.
| Исключить из публикации на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c: | |
| Пояснение к значку на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c действует до: |
Описание товара
Добавить отзыв
