Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 150 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 600 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 30 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 8 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): 1690 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 1 Ом
Наши товары
Наши новости
H8NA60A TO 218
Цена480.00 руб.
Параметры для платежной системы для формирования чеков:
Ставка НДС:Предмет расчета:
Способ расчета:
Количество: 2Цена 480.00 руб.
| Исключить из публикации на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c: | |
| Пояснение к значку на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c действует до: |
Описание товара
Добавить отзыв
