Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 100 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 500 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.5 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): 800 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 1.5 Ом
Корпус: TO220
Наши товары
Наши новости
IRF830 TO220
Цена150.00 руб.
Параметры для платежной системы для формирования чеков:
Ставка НДС:Предмет расчета:
Способ расчета:
Количество: 34Цена 150.00 руб.
| Исключить из публикации на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c: | |
| Пояснение к значку на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c действует до: |
Описание товара
Добавить отзыв
