Структура транзистора: JFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 0.012 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 10 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 2.2 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 0.0038 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): 20 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 2000 Ом
Наши новости