Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.225 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 15 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.03 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 175 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 800 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 70
Наши товары
Наши новости
КТ325БМ
Цена31.00 руб.
Параметры для платежной системы для формирования чеков:
Ставка НДС:Предмет расчета:
Способ расчета:
Количество: 19Цена 31.00 руб.
Исключить из публикации на веб-витрине mag1c: | |
Значок на веб-витрине mag1c: | |
Пояснение к значку на веб-витрине mag1c: | |
Значок на веб-витрине mag1c действует до: |
Описание товара
Добавить отзыв