Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 50 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 1500 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 8 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 2.2
Наши товары
Наши новости
S2000AF TO3PF
Цена174.00 руб.
Параметры для платежной системы для формирования чеков:
Ставка НДС:Предмет расчета:
Способ расчета:
Количество: 2Цена 174.00 руб.
| Исключить из публикации на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c: | |
| Пояснение к значку на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c действует до: |
Описание товара
Добавить отзыв
