Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel
Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 125W W
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 400V V
Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): 1.3V V
Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): 16V V
Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 10A A
Предельная температура (Tj): 150 C
Наши товары
Наши новости
STGB10NB37LZ IGBT D2PAK/TO263
Цена320.00 руб.
Параметры для платежной системы для формирования чеков:
Ставка НДС:Предмет расчета:
Способ расчета:
Количество: 8Цена 320.00 руб.
| Исключить из публикации на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c: | |
| Пояснение к значку на веб-витрине mag1c: | |
| Значок на веб-витрине mag1c действует до: |
Описание товара
Добавить отзыв
